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2026.08.10
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小红书正文配图第3张【方案Recipe参数卡页】,暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式,工程写实示意图,不要艺术渲染,竖版9:16。顶部加粗标题栏:「两套优化方案关键参数区间」。画面内容:并排两张灰蓝色圆角参数信息卡片。第一张GC优化卡片文字内容:非均匀周期光栅:630nm→580nm,8个周期|Al反射镜100nm|光纤入射角10°|插损1.2-1.8dB|3dB带宽≈35nm;第二张EC优化卡片文字内容:Si锥形尖端CD:80-120nm|SiN模斑层叠加|lensed fiber对接|单端插损1.0-1.5dB|TE/TM PDL<0.3dB。卡片内关键数值浅橙色高亮,文字清晰可读。使用圆角卡片、浅灰分割线,整套视觉统一,半导体硅光工艺干货,工程师产线经验帖。高清。
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小红书正文配图第4张【参数红线+避坑页】,暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式,工程写实示意图,不要艺术渲染,竖版9:16。顶部加粗标题栏:「这些参数漂移,直接毁掉封装良率」。画面内容:多个圆角信息卡片,3条参数红线,搭配1个橙色高亮避坑提示框。红线内容①锥形尖端CD波动>±20nm|对准容差减半,良率暴跌;②SiN层厚度偏差±15nm|模斑畸变,耦合效率下降20%;③无λ/4 SiO₂增透膜|菲涅尔反射额外损耗0.6dB。橙色避坑框文字:端面耦合芯片解理后48h自然氧化吸湿,插损漂0.3-0.5dB,24h内需封装或真空保存。参数重点数字浅橙色高亮,使用圆角卡片、浅灰分割线,整套视觉统一,半导体硅光工艺干货,工程师产线经验帖。高清,文字清晰可读。
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小红书正文配图第2张【参数灵敏度对比页】,全局风格约束:暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博 HUD 特效、科幻 UI、Q 版卡通、学术论文样式,工程写实示意图,不要过度艺术渲染,竖版 3:4(四周预留安全留白),顶部设置加粗标题栏,参数重点数字浅橙色高亮,使用圆角卡片、浅灰分割线,整套视觉完全统一,AR 衍射光栅工艺干货,工程师量产经验帖。标题:"倾斜光栅三大参数灵敏度扫描对比";画面内容:三张并列圆角信息模块,分别展示占空比、槽深、倾斜角对应的效率衰减幅度;参数内容:占空比 ±2%|效率下降 8~10%;槽深 ±15nm|效率下降 5~7%;倾斜角 ±3°|效率下降 10~12%,浅灰色分割线区分模块,突出占空比为最高敏感项。光栅基础参数标注:Λ=400nm,槽深 200nm,倾角 22°。
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小红书笔记内页排版图,轻科技简约风,版式精美,小红书笔记内页质感,信息层级清晰。主标题逐字锁定:「第四代半导体:SiC/GaN宽禁带光刻」。主标题字号醒目,深紫色粗黑体。正文内容分点排版,文字清晰汉字简体:「1. 硬度大、化学稳定性高,干法刻蚀比Si难控得多 2. 光刻胶profile稍差,刻蚀偏出几十纳米 3. 线宽容差:Si是10%,宽禁带需控在5%以内 4. 套刻精度必须往死里压,不然全是废片」。背景:浅灰白渐变底色,干净明亮不发黑。配图:画面右侧或下方展示全透明水晶质感的电子束光刻设备局部特写,紫色紫外光线束投射在宽禁带晶圆上,线框透视效果,产品结构解析图,超写实3D渲染,半透明机身可见内部光路结构。装饰:淡紫色细线条分割线、小圆点序号、科技感线框点缀,整体简约高级。整体氛围:轻科技、专业干货、明亮通透。画质:高清细腻,文字清晰可读,文字完整处于安全区内不可裁切,四周留安全边距。画面比例 3:4,4K。
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小红书正文配图第5张【总结页】,暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式,工程写实示意图,不要艺术渲染,竖版9:16。顶部加粗标题栏:「比起论文极致指标,产线更看重可重复良率」。画面内容:简约硅光芯片简易剖面示意图,两个文本小结框分别总结GC、EC耦合路线适用场景,排版宽松,工程复盘风格,无花哨特效。参数重点数字浅橙色高亮,使用圆角卡片、浅灰分割线,整套视觉统一,半导体硅光工艺干货,工程师产线经验帖。高清,文字清晰可读。
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小红书正文配图第4张【参数红线+避坑页】,暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式,工程写实示意图,不要艺术渲染,竖版9:16。顶部加粗标题栏:「这些参数漂移,直接毁掉封装良率」。画面内容:多个圆角信息卡片,3条参数红线,搭配1个橙色高亮避坑提示框。红线内容①锥形尖端CD波动>±20nm|对准容差减半,良率暴跌;②SiN层厚度偏差±15nm|模斑畸变,耦合效率下降20%;③无λ/4 SiO₂增透膜|菲涅尔反射额外损耗0.6dB。橙色避坑框文字:端面耦合芯片解理后48h自然氧化吸湿,插损漂0.3-0.5dB,24h内需封装或真空保存。参数重点数字浅橙色高亮,使用圆角卡片、浅灰分割线,整套视觉统一,半导体硅光工艺干货,工程师产线经验帖。高清,文字清晰可读。
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小红书正文配图第4张【失效复盘 + 避坑页】,全局风格约束:暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博 HUD 特效、科幻 UI、Q 版卡通、学术论文样式,工程写实示意图,不要过度艺术渲染,竖版 3:4(四周预留安全留白),顶部设置加粗标题栏,参数重点数字浅橙色高亮,使用圆角卡片、浅灰分割线,整套视觉完全统一,AR 衍射光栅工艺干货,工程师量产经验帖。标题:"实测与仿真差距拆解,极易踩的调试误区";画面内容:上下两块圆角卡片,上方误差拆解:占空比偏移 3.8%(主要损耗)+ 侧壁粗糙度散射(额外 3% 损耗);下方橙色高亮警示框:禁止只检测 +1 级衍射效率,同步采集 0 级、-1 级光功率,避免故障误判。
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小红书正文配图第5张【总结页】,暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式,工程写实示意图,不要艺术渲染,竖版9:16。顶部加粗标题栏:「比起论文极致指标,产线更看重可重复良率」。画面内容:简约硅光芯片简易剖面示意图,两个文本小结框分别总结GC、EC耦合路线适用场景,排版宽松,工程复盘风格,无花哨特效。参数重点数字浅橙色高亮,使用圆角卡片、浅灰分割线,整套视觉统一,半导体硅光工艺干货,工程师产线经验帖。高清,文字清晰可读。
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小红书正文配图第4张【避坑+总结页】,全局风格约束:暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式,工程写实示意图,不要过度艺术渲染,竖版3:4,四周预留安全留白,文字远离画布边缘。顶部设置加粗标题栏:FTIR测试高频误区 & 工艺核心总结,参数重点数字浅橙色高亮,使用圆角卡片、浅灰分割线。画面上下分区,上方橙色高亮警示避坑框:①膜厚<200nm FTIR误差大,需椭偏校准;②FTIR无法区分膜体/界面氢分布,高精度需搭配SIMS检测;下方总结圆角框:1550nm损耗超标优先排查沉积氢键,去氢是低损耗SiN波导的核心工艺,搭配简易薄膜结构示意图,留白充足。微纳薄膜工艺干货,工程师量产经验帖,整套视觉统一风格。
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小红书正文配图第3张【工艺链路 Recipe 参数卡页】,全局风格约束:暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博 HUD 特效、科幻 UI、Q 版卡通、学术论文样式,工程写实示意图,不要过度艺术渲染,竖版 3:4(四周预留安全留白),顶部设置加粗标题栏,参数重点数字浅橙色高亮,使用圆角卡片、浅灰分割线,整套视觉完全统一,AR 衍射光栅工艺干货,工程师量产经验帖。标题:"EBL 母版→NIL→RIE 全链路优化方案";画面内容:从上至下三张灰蓝色圆角参数信息卡片:①EBL 母版:ZEP520A 正胶|dose matrix 剂量校准|目标:占空比波动<±2%;②NIL 纳米压印:UV 胶黏度<10cP|保压 90s|填充率 85%→95%;③RIE 刻蚀:CHF₃/Ar 工艺|刻蚀选择比 1.5:1|槽深偏差 ±20nm→±10nm。卡片内关键数值浅橙色高亮,文字排版宽松清晰可读。
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小红书半导体工艺干货封面,暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文封面样式,工程写实,竖版9:16。主视觉是硅光Inverse-Taper锥形波导俯视Zeiss SEM写实截图,灰度微观晶圆结构。画面上方放置大号渐变醒目数字钩子「3dB → 1.5dB」,大加粗字体主标题:「硅光芯片插入损耗从单端3dB压到1.5dB」,小字副标题:「换耦合结构不如把锥形波导尖端的CD控好」。画面角落放置浅蓝圆角关键词标签:Inverse Taper、端面耦合EC、光栅耦合GC、模斑转换,核心数字使用浅橙色高亮,简约科技排版,工程师经验分享氛围感,高清,无多余装饰。版式精美,小红书笔记封面质感,信息层级清晰,适合信息流点击。
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光计算芯片概念股 源杰科技:高速光芯片 IDM 龙头,100G/200G EML 芯片突破海外垄断,25G DFB 全球市占率超 15%,切入英伟达 GB200 供应链。 长光华芯:IDM 模式稀缺标的,100G EML 量产、200G EML 送样,100G VCSEL 与高功率激光器量产出货,良率 92%。 仕佳光子:PLC 分路器芯片全球龙头(份额超 30%),AWG 芯片批量供货谷歌。 光迅科技:全产业链标杆,国内唯一高端光芯片自产企业,覆盖 DFB/EML/VCSEL,量子通信光模块市占率超 60%。 华工科技:磷化铟光芯片量产,800G 硅光芯片产能利用率超 95%,单波 200G 硅光适配 1.6T 光模块。 中际旭创:光模块龙头,子公司苏州湃自研硅光芯片,800G 硅光模块市占率领先,绑定英伟达等 AI 巨头。 新易盛:硅光芯片良率突破 85%,体量大、对上游芯片掌控力强,适配高速光模块需求。光库科技:全球唯二、中国唯一量产 800Gbps 以上 TFLN 调制器企业,插损 <3dB、带宽> 100GHz,供货英伟达、思科。 永鼎股份:子公司鼎芯光电全链条自主可控,10G EML、25G DFB 光芯片批量出货,车规级光芯片新势力。 三安光电:化合物半导体巨头,外延片生长能力强,为光芯片设计公司提供代工与材料。敏芯股份:国内首家独立全系列光芯片供应商,覆盖2.5G-50G全系列激光器和探测器光芯片。 赛微电子:通过瑞典Silex产线为全球厂商提供硅光子芯片晶圆制造服务。
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将图片尺寸调整为1080×1440px,保持画面内容、文字、布局和风格完全不变,清晰不失真
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重新绘制这张技术介绍图,标题为'从2D平面到3D立体 关键技术',删除左上角的'博览财研'文字,保留图中所有文字内容和四个技术板块结构以及性能提升部分,更换为和前两张一致的现代科技风简约设计风格,可以对板块布局进行调整优化
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[第3屏] 核心技术优势总览屏,展示本款千兆网工业相机八大核心优势。 [氛围/风格] 科技信息风,深蓝渐变底色,模块清晰,信息层级分明,专业可信。 [元素布局] 顶部放置主标题,下方采用2行4列宫格布局,每个宫格展示一个核心卖点。每个宫格包含圆角浅灰底卡片,上方放置技术图标,下方放置卖点标题和简短说明,整体规整有序。 [光影质感] 整体光照均匀柔和,每个卡片有轻微阴影增加层次感,图标和文字清晰明亮,突出信息可读性。 [配色色系] 全局底色:#1A202C(深灰蓝);卡片底色:#2D3748(浅灰蓝);图标:#60A5FA(浅蓝色);标题文字:#FFFFFF(白色);说明文字:#CBD5E1(浅灰色)。 [视角构图] 从上到下通屏构图,宫格间距均匀,上下左右保留充足留白,符合移动端阅读习惯。 [文字版式] 顶部主标题:“八大核心优势 专业工业视觉解决方案”,白色粗体,居中。八大卖点分别为:1.100米远距离稳定传输,可选POE供电;2.兼容VISION标准,免驱支持主流软件;3.7路GPIO光电隔离,外触发同步;4.支持8bit/12bit无损格式输出;5.支持多相机同时工作,不限数量组网;6.数据包重传技术,数据传输可靠;7.SDK设计优良,即插即用像USB一样简单;8.支持Windows/Linux/MacOS多系统。每个卖点宫格中,标题加粗,说明缩小字号,排版整齐不拥挤。 [比例分辨率] 9:16竖版比例,4K分辨率,文字清晰可辨,超高清。 [负向提示词] 宫格错乱,文字重叠,文字过小无法辨认,配色刺眼,背景杂乱,水印,变形。
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[第3屏] 核心技术优势总览屏,展示本款千兆网工业相机八大核心优势。 [氛围/风格] 科技信息风,深蓝渐变底色,模块清晰,信息层级分明,专业可信。 [元素布局] 顶部放置主标题,下方采用2行4列宫格布局,每个宫格展示一个核心卖点。每个宫格包含圆角浅灰底卡片,上方放置技术图标,下方放置卖点标题和简短说明,整体规整有序。 [光影质感] 整体光照均匀柔和,每个卡片有轻微阴影增加层次感,图标和文字清晰明亮,突出信息可读性。 [配色色系] 全局底色:#1A202C(深灰蓝);卡片底色:#2D3748(浅灰蓝);图标:#60A5FA(浅蓝色);标题文字:#FFFFFF(白色);说明文字:#CBD5E1(浅灰色)。 [视角构图] 从上到下通屏构图,宫格间距均匀,上下左右保留充足留白,符合移动端阅读习惯。 [文字版式] 顶部主标题:“八大核心优势 专业工业视觉解决方案”,白色粗体,居中。八大卖点分别为:1.100米远距离稳定传输,可选POE供电;2.兼容VISION标准,免驱支持主流软件;3.7路GPIO光电隔离,外触发同步;4.支持8bit/12bit无损格式输出;5.支持多相机同时工作,不限数量组网;6.数据包重传技术,数据传输可靠;7.SDK设计优良,即插即用像USB一样简单;8.支持Windows/Linux/MacOS多系统。每个卖点宫格中,标题加粗,说明缩小字号,排版整齐不拥挤。 [比例分辨率] 9:16竖版比例,4K分辨率,文字清晰可辨,超高清。 [负向提示词] 宫格错乱,文字重叠,文字过小无法辨认,配色刺眼,背景杂乱,水印,变形。
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小红书内容配图,竖版3:4比例,简约科普风格,浅色调。画面展示AI产业链四个关键技术,用图标卡片形式排列:1.光芯片 2.硅光技术 3.CPO共封装光学 4.800G/1.6T高速光模块,每个技术配一个简洁的线描图标。画面上方有大标题:"AI时代的四大核心技术",底部有一行总结文字:"算力芯片+光互联=AI基础设施"。背景为浅蓝渐变,带细微的电路板纹理,整体干净清爽,信息清晰易读,全部为简体中文。
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小红书 AR 光学工艺干货封面,全局约束:暖色技术博主风,米灰暖白柔和底色,禁止纯黑色背景、赛博 HUD 特效、科幻 UI、Q 版卡通、学术论文封面样式,工程写实,竖版 3:4(四周轻微留白留边,规避裁切)。主视觉左右并列倾斜光栅 SEM 截面对比图:左侧理想设计形貌光栅截面,右侧工艺实测畸变光栅截面,灰度微观晶圆 SEM 实拍质感,标注 CD 尺寸。画面上方放置大号渐变醒目数字钩子 "85% → 65%",大加粗字体主标题:"衍射光波导效率设计 85% 实测 65%",小字副标题:"占空比偏差 4%,直接吃掉 20% 衍射效率"。画面角落放置浅蓝圆角关键词标签:倾斜光栅、RCWA 仿真、NIL 纳米压印、占空比,核心数字使用浅橙色高亮,简约科技排版,光学工程师量产复盘氛围感,高清,无多余装饰。
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小红书半导体工艺干货长排版封面图,3:4竖版,暖米灰白色柔和底色,工程师实战经验分享风格,拒绝冷黑科技风,卡片式排版。画面主体为晶圆截面SEM实拍风格图,展示垂直光滑的硅光波导侧壁微观结构,真实工业SEM质感,灰度层次丰富。上方大标题文字:"5dB/cm → 0.8dB/cm 怎么做到的",字体清晰醒目,浅橙+灰蓝点缀高亮数据。副标题小字:ICP-RIE干法刻蚀 · 硅光波导侧壁粗糙度优化。底部标注:工程师实战笔记。整体信息饱满,工业科普质感,不卡通不科幻,字体清晰适合手机阅读,高清2K分辨率
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小红书半导体工艺干货长排版封面图,3:4竖版,暖米灰白色柔和底色,工程师实战经验分享风格,拒绝冷黑科技风,卡片式排版。画面主体为晶圆截面SEM实拍风格图,展示垂直光滑的硅光波导侧壁微观结构,真实工业SEM质感,灰度层次丰富。上方大标题文字:"5dB/cm → 0.8dB/cm 怎么做到的",字体清晰醒目,浅橙+灰蓝点缀高亮数据。副标题小字:ICP-RIE干法刻蚀 · 硅光波导侧壁粗糙度优化。底部标注:工程师实战笔记。整体信息饱满,工业科普质感,不卡通不科幻,字体清晰适合手机阅读,高清2K分辨率
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[第3屏] 核心技术-软硬结合工艺原理解析。 [氛围/风格] 技术解析图风格,专业透明,原理清晰,保持科技工业风统一。 [元素布局] 输入产品图的软硬结合电路板放在画面中上区域,保持结构颜色材质不变,用引线标注出刚性区域、柔性区域和连接区域三个核心部分。下方分三个卡片分别解释每个部分的材质和作用。底部留出区域补充技术优势总结。背景保持深蓝色纹理,和首屏一致,标注引线用浅金色清晰突出。 [光影质感] 光照均匀,标注线清晰不遮挡产品,产品细节和文字都清晰可读,整体层次感强。 [配色色系] 全局底色:#121826(深蓝科技黑);标注引线:#D4AF37(浅金色);文字:白色主标题浅灰色说明,保持配色体系和前两屏一致。 [视角构图] 产品主体位于中上,标注引线指向各区域,下方原理文字分卡排列,俯视平视,结构清晰。 [文字版式] 顶部主标题「核心工艺 结构解析」白色大字。产品上用引线标注:1「刚性PCB区」高密度布线,保证精度;2「柔性FPC区」可弯折,节省空间;3「一体成型连接区」无外接焊点,更稳定。下方三个浅灰色半透明卡片分别对应三个区域的详细说明。底部总结文字「结合刚性精度与柔性可弯曲优势,集成度更高」浅金色。字体完全沿用首屏风格。 [比例分辨率] 9:16 竖版比例,2k 分辨率,文字清晰可辨,超高清。 [负向提示词] 标注不清,产品变形,文字错乱,引线模糊,背景杂乱
小米粥&七月的风