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2026.08.10
做同款
小红书正文配图第3张【方案Recipe参数卡页】，暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式，工程写实示意图，不要艺术渲染，竖版9:16。顶部加粗标题栏：「两套优化方案关键参数区间」。画面内容：并排两张灰蓝色圆角参数信息卡片。第一张GC优化卡片文字内容：非均匀周期光栅：630nm→580nm，8个周期｜Al反射镜100nm｜光纤入射角10°｜插损1.2-1.8dB｜3dB带宽≈35nm；第二张EC优化卡片文字内容：Si锥形尖端CD：80-120nm｜SiN模斑层叠加｜lensed fiber对接｜单端插损1.0-1.5dB｜TE/TM PDL＜0.3dB。卡片内关键数值浅橙色高亮，文字清晰可读。使用圆角卡片、浅灰分割线，整套视觉统一，半导体硅光工艺干货，工程师产线经验帖。高清。
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小红书正文配图第4张【参数红线+避坑页】，暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式，工程写实示意图，不要艺术渲染，竖版9:16。顶部加粗标题栏：「这些参数漂移，直接毁掉封装良率」。画面内容：多个圆角信息卡片，3条参数红线，搭配1个橙色高亮避坑提示框。红线内容①锥形尖端CD波动＞±20nm｜对准容差减半，良率暴跌；②SiN层厚度偏差±15nm｜模斑畸变，耦合效率下降20%；③无λ/4 SiO₂增透膜｜菲涅尔反射额外损耗0.6dB。橙色避坑框文字：端面耦合芯片解理后48h自然氧化吸湿，插损漂0.3-0.5dB，24h内需封装或真空保存。参数重点数字浅橙色高亮，使用圆角卡片、浅灰分割线，整套视觉统一，半导体硅光工艺干货，工程师产线经验帖。高清，文字清晰可读。
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小红书光芯片测试工艺干货封面，专业科技媒体排版，无手绘、无手写涂鸦、无纸张纹理。竖版3:4，四周预留安全留白。暖米白整体底色，低饱和砂灰简约分区，低饱和暖橙用于重点数字高亮。主视觉：真实质感12英寸晶圆实物俯视示意图，晶圆表面排布波导测试结构；画面左右放置两组测试结果标签，分别标注0.5dB/cm、1.5dB/cm，暖橙高亮标注差值3倍。页面上方加粗主标题文字："同一片晶圆，两家测损耗差3倍"；小字副标题文字："波导损耗取决于完整测量协议"。角落放置简约圆角标签，文字分别为："光波导损耗"、"cut-back"、"光芯片代工"。整体干净克制，半导体行业科普海报质感，高清写实，无多余装饰。
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3:4竖版专业科技配图，统一暖米白+砂灰卡片版式，暖橙高亮风险参数。分四块展示各材料量产痛点：a-Si可见光吸光损耗、TiO₂刻蚀侧壁粗糙、Si₃N₄高深宽比易断裂、GaN高成本稀缺资源，搭配SEM微观结构写实示意图，清晰展示工艺缺陷，排版干净克制，适合干货科普。标题：“各材料量产致命短板”。
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小红书正文配图第1张【痛点原理页】，专业科技媒体排版，完全去掉手绘、手写、荧光笔、笔记本纸纹元素。竖版3:4，四周预留安全留白。暖米白底色，低饱和砂灰圆角信息卡片，关键数值使用低饱和暖橙高亮。搭配写实示意图、晶圆局部图示。排版规整对齐，信息模块分区清晰，预留文字区域用于后期叠加精细参数文字，禁止赛博特效、卡通、花哨渐变。标题文字："为什么同一片晶圆，损耗测试结果差距巨大"。画面：写实晶圆局部俯视效果图，展示片上波导测试阵列；砂灰圆角分区卡片，清晰罗列三种损耗测试方式：cut-back截断法、光纤端面耦合、光栅耦合，附带简短客观说明各自特点，重点数值暖橙高亮，布局宽松整洁。
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小红书正文配图第2张【参数灵敏度对比页】，全局风格约束：暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博 HUD 特效、科幻 UI、Q 版卡通、学术论文样式，工程写实示意图，不要过度艺术渲染，竖版 3:4（四周预留安全留白），顶部设置加粗标题栏，参数重点数字浅橙色高亮，使用圆角卡片、浅灰分割线，整套视觉完全统一，AR 衍射光栅工艺干货，工程师量产经验帖。标题："倾斜光栅三大参数灵敏度扫描对比"；画面内容：三张并列圆角信息模块，分别展示占空比、槽深、倾斜角对应的效率衰减幅度；参数内容：占空比 ±2%｜效率下降 8~10%；槽深 ±15nm｜效率下降 5~7%；倾斜角 ±3°｜效率下降 10~12%，浅灰色分割线区分模块，突出占空比为最高敏感项。光栅基础参数标注：Λ=400nm，槽深 200nm，倾角 22°。
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小红书笔记内页排版图，轻科技简约风，版式精美，小红书笔记内页质感，信息层级清晰。主标题逐字锁定：「第四代半导体：SiC/GaN宽禁带光刻」。主标题字号醒目，深紫色粗黑体。正文内容分点排版，文字清晰汉字简体：「1. 硬度大、化学稳定性高，干法刻蚀比Si难控得多 2. 光刻胶profile稍差，刻蚀偏出几十纳米 3. 线宽容差：Si是10%，宽禁带需控在5%以内 4. 套刻精度必须往死里压，不然全是废片」。背景：浅灰白渐变底色，干净明亮不发黑。配图：画面右侧或下方展示全透明水晶质感的电子束光刻设备局部特写，紫色紫外光线束投射在宽禁带晶圆上，线框透视效果，产品结构解析图，超写实3D渲染，半透明机身可见内部光路结构。装饰：淡紫色细线条分割线、小圆点序号、科技感线框点缀，整体简约高级。整体氛围：轻科技、专业干货、明亮通透。画质：高清细腻，文字清晰可读，文字完整处于安全区内不可裁切，四周留安全边距。画面比例 3:4，4K。
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小红书正文配图第5张【总结页】，暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式，工程写实示意图，不要艺术渲染，竖版9:16。顶部加粗标题栏：「比起论文极致指标，产线更看重可重复良率」。画面内容：简约硅光芯片简易剖面示意图，两个文本小结框分别总结GC、EC耦合路线适用场景，排版宽松，工程复盘风格，无花哨特效。参数重点数字浅橙色高亮，使用圆角卡片、浅灰分割线，整套视觉统一，半导体硅光工艺干货，工程师产线经验帖。高清，文字清晰可读。
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小红书正文配图第4张【参数红线+避坑页】，暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式，工程写实示意图，不要艺术渲染，竖版9:16。顶部加粗标题栏：「这些参数漂移，直接毁掉封装良率」。画面内容：多个圆角信息卡片，3条参数红线，搭配1个橙色高亮避坑提示框。红线内容①锥形尖端CD波动＞±20nm｜对准容差减半，良率暴跌；②SiN层厚度偏差±15nm｜模斑畸变，耦合效率下降20%；③无λ/4 SiO₂增透膜｜菲涅尔反射额外损耗0.6dB。橙色避坑框文字：端面耦合芯片解理后48h自然氧化吸湿，插损漂0.3-0.5dB，24h内需封装或真空保存。参数重点数字浅橙色高亮，使用圆角卡片、浅灰分割线，整套视觉统一，半导体硅光工艺干货，工程师产线经验帖。高清，文字清晰可读。
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统一视觉系统的半导体小红书笔记设计稿，3:4竖版，浅米白与暖灰哑光底色，写实3D芯片波导与晶圆测试元素，粗黑体中文标题，黑色主文字，橙色强调标签，信息卡片清晰分区，画面干净克制，无赛博霓虹，无炫光，无水印，文字直接生成在图中，不出现占位符，分辨率高，边缘清晰，科技报告感，工程师笔记风，平面设计稿。左右对半分栏对比构图，左侧为实验室晶圆测试工位与芯片波导，右侧为客户复测场景与同一根波导的数据偏差感，画面中间有清晰分割线，底部留出大标题区域。顶部小标签文字“芯片测试避坑”，左上标题文字“实验室测 0.8dB/cm”，右上标题文字“客户复测 1.6dB/cm”，底部超大黑粗体标题文字“损耗数据为什么翻倍”，副标题文字“端面耦合 VS 光栅耦合”。
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小红书技术科普收尾页（图4·收尾），竖版3:4比例，浅灰蓝竖向渐变背景（顶部#EDF2F7到底部#DCE5EF柔和过渡），扁平化矢量插画风格，科技感简洁清晰。 【顶部标题区 - 左上对齐】 - 主标题："把光按回波导里"，左上对齐，62px，深藏蓝色 【主体 - 三栏纵向卡片横排】 三张等宽等高的白色圆角纵向卡片并排，每栏卡头为中蓝色背景白字，卡内两行要点： - 左栏「设计端」： 卡头文字："设计端" 卡内两行： 包层厚度和衬底一起算 看模式与衬底的重叠 - 中栏「材料端」： 卡头文字："材料端" 卡内两行： 认准高阻衬底 电阻率写进验收 - 右栏「工艺端」： 卡头文字："工艺端" 卡内两行： 管住包层厚度均匀性 沉积完做致密化退火 【中部提示条】 - 淡灰蓝色底色、中蓝色描边的圆角横条，文字居中："已经流片的片子，还能救一手" 【避坑块 - 四条】 - 淡橙色底色、橙红色描边的圆角卡片，内含四条避坑要点，每条前有橙红色小圆点或序号： 1. 别只看芯层尺寸和侧壁，损耗卡住时往下看一眼 2. 别拿普通硅片当高阻衬底，电阻率差一档损耗差一截 3. 包层厚度别只标下限，均匀性也要管 4. 衬底挖除之后别省背面保护，露出来的衬底会带新吸收 【底部收尾句】 - 30px深藏蓝色，居中："光要留在芯里，上面下面都得管住" 【版式规范】 - 安全边距：上130px、下≥120px、左右80px - 底部距底边160px内不放置关键信息 - 所有文字两两不重叠、不越出安全边距 - 整体风格：三栏方案卡 + 提示条 + 避坑块，方案-避坑收口版式，科技科普风
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[画面] 2:3竖版电商详情页，光纤参数汇总页面；画面分为上下两个区块，上半区域为「光纤接头」参数表，下半区域为「光纤芯径与芯数」参数表；两个表格之间留有充足间距，布局均衡；浅蓝渐变背景，从上到下由淡蓝色过渡到更浅的蓝色，干净专业；表格有细边框，表头底色略深，数据行清晰；整体风格统一为杂志高级工业风精密仪器质感，信息清晰直观，适合手机端阅读。 [视觉] 套系策略：风格=杂志高级工业风精密仪器质感；标题字=现代无衬线科技粗体；正文字=简洁无衬线体；主色=科技浅蓝；背景延展=浅蓝从上至下渐变，干净科研质感；强调色=深蓝色，用于表格表头和重点行高亮；标题色=深炭灰黑色；正文色=深灰黑色；组件=细线边框表格、圆角表头、规整数据行；光影=均匀柔和光，画面平整清晰。 [文字] 上方区块：顶部居中放置大标题「光纤接头」，下方为两列表格，左列表头「符号」，右列表头「说明」；共4行数据：第1行「-S」对应「SMA905接头」，第2行「-TA」对应「直接6.35mm 不锈钢材质」，第3行「-TB」对应「直接10.0mm 不锈钢材质」，第4行「-FC」对应「FC接头」。下方区块：顶部居中放置大标题「光纤芯径与芯数」，下方为两列表格，左列表头「参数」，右列表头「指标」；共2行数据：第1行「芯径」对应「8、100、200、400、600、800、1000」，第2行「芯数」对应「1芯、2芯、7芯、19芯、21芯等」。所有文字全部横向排版，字号适中手机端可读，表格对齐工整。 [规格] 图片比例2:3竖版，4K，medium质量，避免模糊、文字错乱、表格错位、色彩杂乱、低画质、水印、人物、卡通风格。
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3:4竖版小红书科技科普配图，专业媒体规整排版，无手绘无卡通无特效。暖米白底色，砂灰圆角卡片分区，低饱和暖橙高亮关键参数。四宫格展示a-Si、TiO₂、Si₃N₄、GaN四种材料微观薄膜结构写实图，对应标注折射率、适配波段、优缺点、量产适配性，页面整洁对齐，预留文字区域，工业科研高清质感。标题：“四大超表面材料性能&工艺对比”。
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统一视觉系统的半导体小红书笔记设计稿，3:4竖版，浅米白与暖灰哑光底色，写实3D芯片波导与晶圆测试元素，粗黑体中文标题，黑色主文字，橙色强调标签，信息卡片清晰分区，画面干净克制，无赛博霓虹，无炫光，无水印，文字直接生成在图中，不出现占位符，分辨率高，边缘清晰，科技报告感，工程师笔记风，平面设计稿。清单卡片排版，背景低透明度展示纳米波导、测试探针、光纤耦合结构，整体干净克制。顶部大标题文字“芯片测试报告，必须写清这 3 点”，副标题文字“否则客户复测很容易翻车”。三条编号清单：第一条标题文字“1 耦合方式”，说明文字“端面耦合还是光栅耦合，直接决定损耗数值”；第二条标题文字“2 测试条件”，说明文字“波长、偏振、光纤模场、对准方式都要记录”；第三条标题文字“3 数据口径”，说明文字“本征损耗、耦合损耗、总插损不能混为一谈”。底部橙色重点提示文字“不写测试条件的损耗数据，没有可比性”。
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小红书正文配图第4张【失效复盘 + 避坑页】，全局风格约束：暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博 HUD 特效、科幻 UI、Q 版卡通、学术论文样式，工程写实示意图，不要过度艺术渲染，竖版 3:4（四周预留安全留白），顶部设置加粗标题栏，参数重点数字浅橙色高亮，使用圆角卡片、浅灰分割线，整套视觉完全统一，AR 衍射光栅工艺干货，工程师量产经验帖。标题："实测与仿真差距拆解，极易踩的调试误区"；画面内容：上下两块圆角卡片，上方误差拆解：占空比偏移 3.8%（主要损耗）+ 侧壁粗糙度散射（额外 3% 损耗）；下方橙色高亮警示框：禁止只检测 +1 级衍射效率，同步采集 0 级、-1 级光功率，避免故障误判。
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统一视觉系统的半导体小红书笔记设计稿，3:4竖版，浅米白与暖灰哑光底色，写实3D芯片波导与晶圆测试元素，粗黑体中文标题，黑色主文字，橙色强调标签，信息卡片清晰分区，画面干净克制，无赛博霓虹，无炫光，无水印，文字直接生成在图中，不出现占位符，分辨率高，边缘清晰，科技报告感，工程师笔记风，平面设计稿。模块化参数卡版式，主体为三栏决策卡片，背景点缀晶圆小样、光栅结构、光纤阵列的写实3D示意。顶部大标题文字“两种耦合，怎么选”，副标题文字“看你测的是本征损耗，还是真实器件性能”。第一栏标题文字“测本征损耗”，内容文字“光栅耦合”“Cut‑back 法”“同一批次可重复对比”。第二栏标题文字“测真实性能”，内容文字“端面耦合”“模拟封装后状态”“插损数据更有参考意义”。第三栏标题文字“良率筛查”，内容文字“光栅耦合”“测试速度快”“适合自动跑片”。下方小模块标题文字“参数窗口参考”，内容文字“Si₃N₄ 1550nm：周期 600‑650nm”“占空比约 50%”“刻蚀深度差 20nm，耦合效率掉 1‑2dB”“端面耦合注意模场匹配”。底部橙色提示文字“先明确测试目的，再选耦合方式”。
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小红书正文配图第5张【总结页】，暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式，工程写实示意图，不要艺术渲染，竖版9:16。顶部加粗标题栏：「比起论文极致指标，产线更看重可重复良率」。画面内容：简约硅光芯片简易剖面示意图，两个文本小结框分别总结GC、EC耦合路线适用场景，排版宽松，工程复盘风格，无花哨特效。参数重点数字浅橙色高亮，使用圆角卡片、浅灰分割线，整套视觉统一，半导体硅光工艺干货，工程师产线经验帖。高清，文字清晰可读。
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统一视觉系统的半导体小红书笔记设计稿，3:4竖版，浅米白与暖灰哑光底色，写实3D芯片波导与晶圆薄膜沉积元素，粗黑体中文标题，黑色主文字，橙色强调标签，信息卡片清晰分区，画面干净克制，无赛博霓虹，无炫光，无水印，文字直接生成在图中，不出现占位符，分辨率高，边缘清晰，科技报告感，工程师笔记风，平面设计稿。左右对半分栏对比构图，左侧设计参数页面显示Si₃N₄折射率n=2.00，右侧晶圆实物示意标注实测n=1.97，中间红色警示标识，顶部小标签文字"PECVD氮化硅踩坑"，底部超大黑粗体标题文字"折射率漂移毁掉一版流片"，副标题文字"n差0.05，波导全部失效"。
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小红书正文配图第4张【避坑+总结页】，全局风格约束：暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文样式，工程写实示意图，不要过度艺术渲染，竖版3:4，四周预留安全留白，文字远离画布边缘。顶部设置加粗标题栏：FTIR测试高频误区 & 工艺核心总结，参数重点数字浅橙色高亮，使用圆角卡片、浅灰分割线。画面上下分区，上方橙色高亮警示避坑框：①膜厚＜200nm FTIR误差大，需椭偏校准；②FTIR无法区分膜体/界面氢分布，高精度需搭配SIMS检测；下方总结圆角框：1550nm损耗超标优先排查沉积氢键，去氢是低损耗SiN波导的核心工艺，搭配简易薄膜结构示意图，留白充足。微纳薄膜工艺干货，工程师量产经验帖，整套视觉统一风格。
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3:4竖版小红书正文双栏对比卡片，暖调简约技术风，干净工业感，浅米白与暖灰哑光底色，黑色正文，橙色强调标签，信息卡片清晰分区，无水印，分辨率高，边缘清晰。左栏标题为“薄膜铌酸锂”，下方分两部分：优势部分文字为“高带宽 低损耗”，难点部分文字为“工艺窗口窄、良率受限”，搭配简易薄膜铌酸锂材料结构小示意图。右栏标题为“InP磷化铟”，下方分两部分：优势部分文字为“光源单片集成”，难点部分文字为“衬底贵、量产成本高”，搭配简易磷化铟材料结构小示意图。左右两栏对称布局，顶部有橙色对比标签，所有文字直接生成在图中，字体清晰可读，粗黑体中文标题，科技报告感，工程师笔记风。
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小红书半导体工艺干货封面，暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博HUD特效、科幻UI、Q版卡通、学术论文封面样式，工程写实，竖版9:16。主视觉是硅光Inverse-Taper锥形波导俯视Zeiss SEM写实截图，灰度微观晶圆结构。画面上方放置大号渐变醒目数字钩子「3dB → 1.5dB」，大加粗字体主标题：「硅光芯片插入损耗从单端3dB压到1.5dB」，小字副标题：「换耦合结构不如把锥形波导尖端的CD控好」。画面角落放置浅蓝圆角关键词标签：Inverse Taper、端面耦合EC、光栅耦合GC、模斑转换，核心数字使用浅橙色高亮，简约科技排版，工程师经验分享氛围感，高清，无多余装饰。版式精美，小红书笔记封面质感，信息层级清晰，适合信息流点击。
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小红书正文配图第3张【工艺链路 Recipe 参数卡页】，全局风格约束：暖色技术博主风，米灰暖白柔和底色，禁止纯黑色背景、赛博 HUD 特效、科幻 UI、Q 版卡通、学术论文样式，工程写实示意图，不要过度艺术渲染，竖版 3:4（四周预留安全留白），顶部设置加粗标题栏，参数重点数字浅橙色高亮，使用圆角卡片、浅灰分割线，整套视觉完全统一，AR 衍射光栅工艺干货，工程师量产经验帖。标题："EBL 母版→NIL→RIE 全链路优化方案"；画面内容：从上至下三张灰蓝色圆角参数信息卡片：①EBL 母版：ZEP520A 正胶｜dose matrix 剂量校准｜目标：占空比波动＜±2%；②NIL 纳米压印：UV 胶黏度＜10cP｜保压 90s｜填充率 85%→95%；③RIE 刻蚀：CHF₃/Ar 工艺｜刻蚀选择比 1.5:1｜槽深偏差 ±20nm→±10nm。卡片内关键数值浅橙色高亮，文字排版宽松清晰可读。
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![[画面] 2:3竖版电商详情页，光纤参数汇总页面；画面分为上下两个区块，上半区域为「光纤接头」参数表，下半区域为「光纤芯径与芯数」参数表；两个表格之间留有充足间距，布局均衡；浅蓝渐变背景，从上到下由淡蓝色过渡到更浅的蓝色，干净专业；表格有细边框，表头底色略深，数据行清晰；整体风格统一为杂志高级工业风精密仪器质感，信息清晰直观，适合手机端阅读。
[视觉] 套系策略：风格=杂志高级工业风精密仪器质感；标题字=现代无衬线科技粗体；正文字=简洁无衬线体；主色=科技浅蓝；背景延展=浅蓝从上至下渐变，干净科研质感；强调色=深蓝色，用于表格表头和重点行高亮；标题色=深炭灰黑色；正文色=深灰黑色；组件=细线边框表格、圆角表头、规整数据行；光影=均匀柔和光，画面平整清晰。
[文字] 上方区块：顶部居中放置大标题「光纤接头」，下方为两列表格，左列表头「符号」，右列表头「说明」；共4行数据：第1行「-S」对应「SMA905接头」，第2行「-TA」对应「直接6.35mm 不锈钢材质」，第3行「-TB」对应「直接10.0mm 不锈钢材质」，第4行「-FC」对应「FC接头」。下方区块：顶部居中放置大标题「光纤芯径与芯数」，下方为两列表格，左列表头「参数」，右列表头「指标」；共2行数据：第1行「芯径」对应「8、100、200、400、600、800、1000」，第2行「芯数」对应「1芯、2芯、7芯、19芯、21芯等」。所有文字全部横向排版，字号适中手机端可读，表格对齐工整。
[规格] 图片比例2:3竖版，4K，medium质量，避免模糊、文字错乱、表格错位、色彩杂乱、低画质、水印、人物、卡通风格。](https://gd-cms.dancf.com/gd-cms/xi19e5/0/d6122e8c-48f6-4c3c-bfd5-615039ee0bea35765.jpeg?x-oss-process=image/resize,w_640,type_6/sharpen,120/interlace,1)
